Existen muchas tecnologías de memoria RAM:
La primera tecnología que debemos conocer es la DIMM SDRAM, no porque sea la tecnología usada en el presente, pero es la base de las demás tecnologías. La sigla SDRAM corresponde a Single Data Rate Synchronous Dynamic Randon Acces Memory (Memoria RAM sincrónica, dinámica de acceso de datos simple). Es decir que tenemos un módulo de memoria que trabaja de acuerdo a un reloj del sistema, y que puede procesar un dato por ciclo de reloj. Estos módulos poseen 168 contactos y dos ranuras de posición y se comercializaron en módulos de 32, 64, 128, 256 y 512 Mb, con frecuencias de reloj que oscilaban entre los 66 y los 133 MHz y un voltaje de trabajo de 3.3V
-DIMM DDR
Los módulos de memoria DIMM DDR son la evolución de la tecnología DIMM. La sigla DDR significa Double Data Rate y hace referencia a una lectura doble de datos. Recordemos que la tecnología DIMM procesa un dato por ciclo de reloj. De este modo, los módulos DDR trabajan al doble de velocidad en el bus del sistema, lo que permite que nuestra PC tenga un mayor rendimiento. Ademas estos módulos poseen 184 contactos y también eliminó una de las ranuras de posición, dejando una sola en el medio del dispositivo. Por último, las DDR trabajan con 2.5V.
Tipo de chip / Velocidad del reloj / Tiempo de acceso
DDR 200 / 100 MHz / 10 ns
DDR 266 / 133 MHz / 7.5 ns
DDR 333 / 166 MHz / 6 ns
DDR 400 / 200 MHz / 5 ns
DDR 466 / 233 MHz / 4.2 ns
DDR 500 / 250 MHz / 4 ns
DDR 600 300 MHz 3.3 ns
DDR 800 400 MHz 3.3 ns
-DIMM DDR2
Una de las diferencias que se aplicaron es que esta tecnología procesa 4 datos por ciclo de reloj. En términos de factor de forma, DDR2 cuenta con 240 contactos y funciona con 1.8V. Esta tecnología esta siendo utilizada en la mayoría de las mother-boards, pero esta siendo reemplazada por DDR3.
Tipo de chip / Velocidad del reloj / Tiempo de acceso
DDR 2-400 / 100 MHz / 10 ns
DDR 2-533 / 133 MHz / 7.5 ns
DDR 2-667 / 300 MHz / 6 ns
DDR 2-800 / 400 MHz / 5 ns
DDR 2-1066 / 266 MHz / 3.75 ns
-DIMM DDR3
Puede procesar 8 datos por ciclo de reloj. Aunque estos módulos tengan 240 contactos al igual que las DDR2, son completamente incompatibles debido al cambio de posición de la ranura. Además, DDR3 trabaja con 1.5V y esta tecnología acepta módulos de 8GB para Destok Computers y 16 GB para servidores.
Módulo DIMM / Tipo de chip / Velocidad del reloj/ Datos por segundo / Tasa de transferencia
PC3-6400 / DDR3-800 / 100 MHz / 800 millones / 6400 Mbps
PC3-8500 / DDR3-1066 / 133 MHz / 1066 millones / 8530 Mbps
PC3-10667 / DDR3-1333 / 300 MHz / 1333 millones / 10660 Mbps
PC3-12800 / DDR3-1600 / 400 MHz / 1600 millones / 12800 Mbps
PC3-14900 / DDR3-1866 / 266 MHz / 1866 millones / 14930 Mbps
-DDR4
Tienen un gran ancho de banda en comparación con sus versiones anteriores y aún están en fase de desarrollo, se espera su lanzamiento sobre el año 2012. Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos. La tensión es también menor a sus antecesoras, ya que trabajara a 1.2V. DDR4 también apunta un cambio en la tecnología descartando los enfoques de doble y triple canal, cada controlador de memoria está conectado a un módulo único.
Diferencias físicas entre los distintos módulos DDR3
Tecnologías de fabricación:
Estas pueden resumirse en dos grandes grupos: Memorias RAM estáticas (SRAM) y dinámicas (DRAM). Ambas pueden escribirse y leerse repetidamente, y ambos tipos pierden su contenido cuando se apaga el sistema. Sin embargo, las dinámicas tienen la característica adicional de que deben ser "refrescadas" constantemente. Esto significa que una vez escrita en ellas la información, la pierden rápidamente. Por lo que debe utilizarse un sistema (de refresco) que lea el contenido y vuelva a escribirlo. Este proceso se repite constante y automáticamente durante el funcionamiento del ordenador. Por contra, las estáticas conservan su contenido indefinidamente (mientras se mantenga la alimentación de energía), por lo que solo deben ser reescritas nuevamente cuando se desee cambiar su contenido.
Este tipo de memoria es el más ampliamente utilizado en los PCs actuales. Tiene la característica de ser de fácil construcción (resulta económica) y muy compacta (muchos bits en poco espacio), aunque con el inconveniente de la necesidad de refresco ya comentada, además de ser comparativamente "lenta". Este último factor ha ha motivado la aparición de memorias caché mucho más rápidas. La velocidad de acceso de la DRAM es del orden de 60 ns.
La DRAM está constituida por conjuntos de transistor-condensador, y es el estado cargado/descargado de este condensador, el que representa los bits individuales 1 o 0. La volatilidad se debe precisamente a que los condensadores tienden a perder la carga.
En los sistemas PC, existe un controlador especial de memoria alojado en el chipset de la placa base, que refresca el contenido de la memoria cada 15 µs (microsegundos) [1]. Este refresco supone la ocupación de varios ciclos de la UCP. En los sistemas antiguos, este trabajo de actualización suponía una parte importante del trabajo que era capaz de desarrollar el procesador, pero en los sistemas modernos (mucho más capaces) esta función supone apenas un 1% de la carga de trabajo de la UCP.
Los chips actuales de RAM montan la electrónica necesaria para refrescar su propio contenido, pero deben ser informados del momento adecuado mediante una señal apropiada, con objeto de que la tarea de refresco no interfiera los procesos normales de acceso del sistema. En algunas placas-base la frecuencia de refresco puede ser alterada, pero no conviene rebajarla porque se corre el riesgo de que alguno de los millones de condensadores pierda la carga. Además, una disminución del 1% del trabajo del procesador no supone desde luego una ventaja que compense el riesgo de corromper los datos.
-SRAM
La memoria estática mejora algunos de los inconvenientes de la dinámica pero añade otros. Este tipo de memoria está formada por conjuntos de 6 transistores por cada bit; lo que origina que mientras exista alimentación no pierde su contenido. Además es muy rápida, pero es comparativamente más voluminosa que la DRAM y mucho más cara.
En términos de velocidad, la SRAM tiene una velocidad de acceso comparable a la de los registros del procesador, es decir, más rápida que la DRAM. Actualmente (2001) estas memorias SRAM tienen tiempos de acceso del orden de 2 a 15 ns o menos. En cambio su empaquetamiento es menos denso. La SRAM es hasta 30 veces más grande que una DRAM equiparable, y consecuentemente más costosa.
-EDO
La memoria EDO ("Extended Data Output") es una innovación reciente (1995) en la tecnología de la DRAM. Permite a la UCP tener acceso a la memoria un 10 o 15% más rápido que en los chips comparables.
-Rambus
La memoria Rambus RDRAM ...
-DDR-SDRAM
La memoria DDR-SDRAM("Double Data Rate-Synchronous DRAM"), también denominada SDRAM II, es una variedad de memoria RAM síncrona dinámica, que soporta transferencia de datos en ambos flacos del ciclo de reloj, por lo que dobla el rendimiento de las memorias convencionales (que solo utilizan un flanco de cada ciclo para las transferencias). Además este tipo de memoria consume menos energía, lo que la hace especialmente indicada para equipos portátiles.
-La pugna Rambus & DDR
Aunque esta tecnología fue anunciada hace algunos años, sin embargo pasó cierto tiempo antes que aparecieran las primeras unidades disponibles comercialmente. La razón principal para este largo retraso ha sido la posición casi monopolística de la compañía Intel en el mercado de las placas-base y de los chipsets. Intel había anunciado que las futuras memorias de alto rendimiento no serían las DDR-SDRAM, sino el tipo Rambus (RDRAM). Entonces parecía que la DDR-SDRAM nunca aparecería como memoria principal en los PCs porque los productos no soportados por los procesadores Intel morían en un corto periodo de tiempo.
A pesar de todo las cosas fueron por otro camino, y la tecnología Rambus no ha sido capaz de detener la DDR-SDRAM. El maridaje con Rambus por parte de Intel inició un largo periodo de fallos en esta compañía. Además, el máximo competidor de Intel, la compañía AMD, inició por este tiempo el desarrollo de su arquitectura K-7, hoy conocida como Athlon y Duron, que han sido recibidos muy positivamente por el mercado. AMD ganó cuota de mercado mientras Intel la perdía. El fabricante Taiwanés de chipset VIA technologies se benefició también de la política Rambus de Intel, y finalmente se dispuso de todo el soporte necesario para el lanzamiento exitoso de la tecnología DDR-SDRAM. Intel ha tenido que admitir que algunos productos pueden tener éxito comercial incluso sin su bendición. Actualmente Intel ha anunciado su ruptura con Rambus y sabemos que pronto habrá chipsets Intel con soporte para DDR-SDRAM.
El principio básico de DDR-SDRAM es muy simple (aunque su realización práctica sea un poco más complicada). Los nuevos módulos de memoria utilizan la misma velocidad de reloj que la SDRAM normal, pero son capaces de manejar el doble de datos porque utilizan ambos flancos del ciclo de reloj para las transferencias. Por esta razón su denominación suele contener un número que es el doble de la velocidad de bus para la que es adecuada. Por ejemplo, la DDR400 puede efectuar 400 millones de transferencias por segundo en un bus a 200 MHz, con lo que su ancho de banda equivaldría al de una SDRAM normal en un bus de 400 MHz..
Esta tecnología ya era conocida de antes, ya que AGP2x y JDEC están ya trabajando con la especificación DDR II, que pueden duplicar una vez más la velocidad de transferencia utilizando la tecnología cuádruple conocida en AGP4x o en el bus Pentium 4, pero DDR-SDRAM presenta otra mejora importante sobre la SDRAM PC133; utiliza una tensión de alimentación de 2.5 V. en lugar de los 3.3 usuales de las placas-base modernas. Esto, unido a las capacidades más bajas en el interior de los chips de memoria, conducen a una reducción significativa en el consumo energético, lo que hace a la DDR-SDRAM muy atractiva para el mercado de portátiles.
La última tendencia (2004) es la especificación SDRAM PC3200, que permite utilizar una tecnología denominada de doble canal. Los procesadores que la soportan pueden transferir datos al cuádruple de la velocidad del reloj del bus. Se considera ideal que la memoria pueda soportar esta velocidad porque esto descarga el trabajo del chipset de control, pero como actualmente las memorias solo permiten transferencias al doble de la velocidad del bus, la tecnología de doble canal permite utilizar dos módulos estándar de 64 bits que trabajan en paralelo dentro de un canal de 128 bitrs, lo que permite alcanzar una velocidad efectiva de 4 transferencias por ciclo de reloj.
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